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IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1V, Diametro: 42mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 68.54

1

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 400mV, Diametro: 42mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 69.25

1

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1V, Diametro: 42mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 64.56

1

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 400mV, Diametro: 42mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 65.78

1

IXYS Diodo, Montaggio su filettatura, 110A, 1200V, DO-203AB

IXYS Diodo, Montaggio su filettatura, 110A, 1200V, DO-203AB, Configurazione diodi: Anodo a vite, Caduta di tensione diretta massima: 1.17V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.5kA, MPN: DS75-12B

EUR 27.45

1

IXYS Diodo, Montaggio su filettatura, 110A, 1200V, DO-203AB

IXYS Diodo, Montaggio su filettatura, 110A, 1200V, DO-203AB, Configurazione diodi: Anodo a vite, Caduta di tensione diretta massima: 1.17V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.5kA, MPN: DS75-12B

EUR 18.34

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.33

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.81

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.24

1

IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Numero pin: 24, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 830 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 25.25mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: MMIX1F520N075T2

EUR 21.55

1

IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Numero pin: 24, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 830 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.25V, Altezza: 5.7mm, MPN: MMIX1F520N075T2

EUR 19.34

1

IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Numero pin: 24, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 830 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 25.25mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: MMIX1F520N075T2

EUR 18.99

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTP8N65X2

EUR 1.76

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTP8N65X2

EUR 2.19

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTP8N65X2

EUR 2.19

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTY8N65X2

EUR 0.79

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTY8N65X2

EUR 0.78

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTY8N65X2

EUR 0.79

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 3.63

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 2.79

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 48 A, TO-264AA, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 48 A, TO-264AA, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 26.16mm, Lunghezza: 19.96mm, MPN: IXFK48N50

EUR 20.24

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-220AB, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFP26N50P3

EUR 7.28

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH26N50P3

EUR 7.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 94 mΩ, 45 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 94 mΩ, 45 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFR64N50Q3

EUR 29.64

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20.3mm, Lunghezza: 15.8mm, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 3.63

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diodo, Montaggio su filettatura, 110A, 1200V, DO-203AB

IXYS Diodo, Montaggio su filettatura, 110A, 1200V, DO-203AB

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 48 A, TO-264AA, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-220AB, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 94 mΩ, 45 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

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