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IXYS IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 1.250 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 15.96

1

IXYS IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 kW, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 16.26mm, Ancho: 5.3mm, Altura: 21.46mm, Dimensiones: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 14.32

1

IXYS IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 1.250 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 14.06

1

IXYS MOSFET, IXFN200N10P, N-Canal-Canal, 200 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227B Polar HiPerFET

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 200 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227B Polar HiPerFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 680 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFN200N10P

EUR 25.93

1

IXYS MOSFET, IXFN200N10P, N-Canal-Canal, 200 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227B Polar HiPerFET

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 200 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227B Polar HiPerFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 680 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFN200N10P

EUR 23.90

1

IXYS MOSFET, IXFN140N20P, N-Canal-Canal, 115 A, 200 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 115 A, 200 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 680000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 9.6mm, Longitud: 38.23mm, MPN: IXFN140N20P

EUR 21.90

1

IXYS MOSFET, IXFH120N20P, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 22 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 714000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 21.46mm, Longitud: 16.26mm, MPN: IXFH120N20P

EUR 12.07

1

IXYS MOSFET, IXFH96N20P, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 24 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 600000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 21.46mm, Longitud: 16.26mm, MPN: IXFH96N20P

EUR 7.72

1

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 9.15mm, Longitud: 10.66mm, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.18

1

IXYS MOSFET, IXFH120N20P, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 22 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 714 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFH120N20P

EUR 11.29

1

IXYS MOSFET, IXFH74N20P, N-Canal-Canal, 74 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 74 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 34 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 480000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFH74N20P

EUR 7.18

1

IXYS MOSFET, IXFN140N20P, N-Canal-Canal, 115 A, 200 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 115 A, 200 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 680000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFN140N20P

EUR 25.93

1

IXYS MOSFET, IXFH96N20P, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 24 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 600 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFH96N20P

EUR 7.24

1

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.04

1

IXYS MOSFET, IXFH74N20P, N-Canal-Canal, 74 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 74 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 34 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 480000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 21.46mm, Longitud: 16.26mm, MPN: IXFH74N20P

EUR 6.89

1

IXYS MOSFET, IXFH120N20P, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 22 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 714000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFH120N20P

EUR 13.12

1

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.76

1

IXYS MOSFET, IXFN140N20P, N-Canal-Canal, 115 A, 200 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 115 A, 200 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 680 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFN140N20P

EUR 23.90

1

IXYS MOSFET, IXFH74N20P, N-Canal-Canal, 74 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 74 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 34 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 480 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFH74N20P

EUR 5.78

1

IXYS MOSFET, IXFH96N20P, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 24 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 600000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFH96N20P

EUR 8.38

1

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 120 mA rms/mA dc, 200 mA dc, ac / dc, MOSFET, SPNO

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 120 mA rms/mA dc, 200 mA dc, ac / dc, MOSFET, SPNO, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tipo de Encapsulado: Pequeño - 6 pines, Tiempo de Activación Máximo: 3 ms, Dimensiones: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Tipo de relé: OptoMOS, Capacidad: 35pF, Profundidad: 6.35mm, Altura: 3.3mm, Longitud: 8.38mm, MPN: LCA110LS

EUR 1.79

1

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 120 mA rms/mA dc, 200 mA dc, ac / dc, Relé, SPNO

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 120 mA rms/mA dc, 200 mA dc, ac / dc, Relé, SPNO, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tiempo de Activación Máximo: 5 ms, Dimensiones: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Tipo de relé: OptoMOS, Capacidad: 35pF, Profundidad: 6.35mm, Altura: 3.3mm, Longitud: 8.38mm, Corriente de Fuga en Estado Inactivo: 1 μA, MPN: LCA100LS

EUR 1.68

1

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH70N20Q3

EUR 4.74

1

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 16.26mm, MPN: IXFH70N20Q3

EUR 4.82

1

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH70N20Q3

EUR 4.82

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple

IXYS IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple

IXYS IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple

IXYS MOSFET, IXFN200N10P, N-Canal-Canal, 200 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227B Polar HiPerFET

IXYS MOSFET, IXFN200N10P, N-Canal-Canal, 200 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227B Polar HiPerFET

IXYS MOSFET, IXFN140N20P, N-Canal-Canal, 115 A, 200 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH120N20P, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH96N20P, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH120N20P, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH74N20P, N-Canal-Canal, 74 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFN140N20P, N-Canal-Canal, 115 A, 200 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH96N20P, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH74N20P, N-Canal-Canal, 74 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH120N20P, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFN140N20P, N-Canal-Canal, 115 A, 200 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH74N20P, N-Canal-Canal, 74 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH96N20P, N-Canal-Canal, 96 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 120 mA rms/mA dc, 200 mA dc, ac / dc, MOSFET, SPNO

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 120 mA rms/mA dc, 200 mA dc, ac / dc, Relé, SPNO

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

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