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IXYS Módulo IGBT, MIXA450PF1200TSF, N-Canal, 650 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie

IXYS Módulo IGBT, N-Canal, 650 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±30V, Disipación de Potencia Máxima: 2,1 kW, Configuración: Doble, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 152 x 62 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS Módulo IGBT, MIXA450PF1200TSF, N-Canal, 650 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie

IXYS Módulo IGBT, N-Canal, 650 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±30V, Disipación de Potencia Máxima: 2,1 kW, Configuración: Doble, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 152 x 62 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS MOSFET, IXFN170N65X2, N-Canal-Canal, 170 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 170 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,17 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFN170N65X2

EUR 43.88

1

IXYS MOSFET, IXFN170N65X2, N-Canal-Canal, 170 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 170 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,17 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFN170N65X2

EUR 47.02

1

IXYS MOSFET, IXFN150N65X2, N-Canal-Canal, 145 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 145 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFN150N65X2

EUR 39.64

1

IXYS MOSFET, IXFK120N65X2, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, TO264P HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, TO264P HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 24 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 20.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFK120N65X2

EUR 19.42

1

IXYS MOSFET, IXFB150N65X2, N-Canal-Canal, 150 A, 650 V, 3-Pin, PLUS264 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 150 A, 650 V, 3-Pin, PLUS264 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,56 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 20.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFB150N65X2

EUR 31.57

1

IXYS MOSFET, IXFN150N65X2, N-Canal-Canal, 145 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 145 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFN150N65X2

EUR 43.14

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 880 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Energía nominal: 3mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 11.98

1

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Energía nominal: 5.2mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 11.75

1

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Energía nominal: 5.2mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 10.35

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 880 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Energía nominal: 3mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 13.05

1

IXYS MOSFET, IXFT60N65X2HV, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.05mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFT60N65X2HV

EUR 13.35

1

IXYS MOSFET, IXFT60N65X2HV, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.05mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFT60N65X2HV

EUR 11.50

1

IXYS MOSFET, IXFH60N65X2, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH60N65X2

EUR 10.21

1

IXYS MOSFET, IXFH60N65X2, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH60N65X2

EUR 11.85

1

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 890 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2

EUR 11.81

1

IXYS MOSFET, IXTX120N65X2, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 23 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTX120N65X2

EUR 20.43

1

IXYS MOSFET, IXTX120N65X2, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 23 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTX120N65X2

EUR 21.40

1

IXYS MOSFET, IXTR102N65X2, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 330 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTR102N65X2

EUR 20.55

1

IXYS MOSFET, IXTX120N65X2, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 23 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXTX120N65X2

EUR 20.09

1

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2-4, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 890 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2-4

EUR 13.20

1

IXYS MOSFET, IXTR102N65X2, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 330 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTR102N65X2

EUR 18.31

1

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2-4, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 890 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2-4

EUR 14.98

1

IXYS MOSFET, IXTR102N65X2, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 330 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXTR102N65X2

EUR 20.55

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Módulo IGBT, MIXA450PF1200TSF, N-Canal, 650 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie

IXYS Módulo IGBT, MIXA450PF1200TSF, N-Canal, 650 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie

IXYS MOSFET, IXFN170N65X2, N-Canal-Canal, 170 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFN170N65X2, N-Canal-Canal, 170 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFN150N65X2, N-Canal-Canal, 145 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFK120N65X2, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, TO264P HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFB150N65X2, N-Canal-Canal, 150 A, 650 V, 3-Pin, PLUS264 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFN150N65X2, N-Canal-Canal, 145 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS MOSFET, IXFT60N65X2HV, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFT60N65X2HV, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-268HV HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFH60N65X2, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFH60N65X2, N-Canal-Canal, 60 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXTX120N65X2, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTX120N65X2, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTR102N65X2, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTX120N65X2, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2-4, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXTR102N65X2, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2-4, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXTR102N65X2, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si

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