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DiodesZetex Transistor NPN, SOT-223, 3 + Tab Pin, 500 mA, 180 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, SOT-223, 3 + Tab Pin, 500 mA, 180 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, SOT-223, 3 + Tab Pin, 500 mA, 180 V, Montaggio superficiale, Tensione massima base emitter: 5 V, Configurazione transistor: Singolo, Guadagno minimo corrente c.c.: 150, Tensione massima di saturazione emitter: 0,9 V, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,25 V, Corrente massima di cut-off del collettore: 0.1µA, Dimensioni: 6.55 x 3.55 x 1.65mm, MPN: FZT696BTA

EUR 0.40
1

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, TO-92, 500 mA, 180 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, TO-92, 500 mA, 180 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, TO-92, 500 mA, 180 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 300 V, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 50 MHz, Dimensioni: 4.77 x 2.41 x 4.01mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,3 V, MPN: ZTX696B

EUR 0.84
1

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, TO-92, 500 mA, 180 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, TO-92, 500 mA, 180 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, TO-92, 500 mA, 180 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 300 V, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 50 MHz, Dimensioni: 4.77 x 2.41 x 4.01mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,3 V, MPN: ZTX696B

EUR 0.38
1

DiodesZetex Transistor Darlington NPN, SOT-223, 3 + Tab Pin, 500 mA, 180 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Darlington NPN, SOT-223, 3 + Tab Pin, 500 mA, 180 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Darlington NPN, SOT-223, 3 + Tab Pin, 500 mA, 180 V, Montaggio superficiale, Tensione massima base emitter: 5 V, Configurazione transistor: Singolo, Guadagno minimo corrente c.c.: 150, Tensione massima di saturazione emitter: 0,9 V, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,25 V, Corrente massima di cut-off del collettore: 0.1µA, Dimensioni: 6.55 x 3.55 x 1.65mm, MPN: FZT696BTA

EUR 0.83
1

DiodesZetex Transistor Darlington NPN, SOT-223, 3 + Tab Pin, 500 mA, 180 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Darlington NPN, SOT-223, 3 + Tab Pin, 500 mA, 180 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Darlington NPN, SOT-223, 3 + Tab Pin, 500 mA, 180 V, Montaggio superficiale, Tensione massima base emitter: 5 V, Configurazione transistor: Singolo, Guadagno minimo corrente c.c.: 150, Tensione massima di saturazione emitter: 0,9 V, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,25 V, Corrente massima di cut-off del collettore: 0.1µA, Dimensioni: 6.55 x 3.55 x 1.65mm, MPN: FZT696BTA

EUR 0.71
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 2,1 A, 3,7 A, DFN, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 2,1 A, 3,7 A, DFN, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 2,1 A, 3,7 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,45 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZXMC3AMCTA

EUR 0.98
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 2,1 A, 3,7 A, DFN, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 2,1 A, 3,7 A, DFN, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 2,1 A, 3,7 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,45 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZXMC3AMCTA

EUR 0.48
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Full bridge, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 4, Altezza: 1.6mm, Lunghezza: 6.7mm, MPN: ZXMHC3A01T8TA

EUR 1.73
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Full bridge, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Numero di elementi per chip: 4, MPN: ZXMHC3A01T8TA

EUR 1.94
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V (canale N), -30 V (canale P), Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Full bridge, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Numero di elementi per chip: 4, MPN: ZXMHC3A01T8TA

EUR 0.95
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