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DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 580 mA, SOT-26, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 580 mA, SOT-26, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 980 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.3mm, Lunghezza: 3.1mm, MPN: DMN601DMK-7

EUR 0.37

DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 580 mA, SOT-26, Montaggio superficiale

EUR 0.17

DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 580 mA, SOT-26, Montaggio superficiale

EUR 0.40