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DiodesZetex MOSFET, canale N, 20 mΩ, 21 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 20 mΩ, 21 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 20 mΩ, 21 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 10,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMN4015LK3-13

EUR 0.29
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 20 mΩ, 21 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 20 mΩ, 21 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 20 mΩ, 21 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 10,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMN4015LK3-13

EUR 0.49
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 17 mΩ, 38 mΩ, 15 A, 21 A, PDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 17 mΩ, 38 mΩ, 15 A, 21 A, PDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 17 mΩ, 38 mΩ, 15 A, 21 A, PDI3333, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2 V, 2.4 V, Tensione di soglia gate minima: 1.2 V, 1.4 V, Dissipazione di potenza massima: 1,8 W, Configurazione transistor: Base doppia, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.8mm, MPN: DMC3016LDV-7

EUR 0.57
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 17 mΩ, 38 mΩ, 15 A, 21 A, PDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 17 mΩ, 38 mΩ, 15 A, 21 A, PDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 17 mΩ, 38 mΩ, 15 A, 21 A, PDI3333, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2 V, 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 1.2 V, 1.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,8 W, Configurazione transistor: Base doppia, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMC3016LDV-7

EUR 0.28
1

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 17 mΩ, 38 mΩ, 15 A, 21 A, PDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 17 mΩ, 38 mΩ, 15 A, 21 A, PDI3333, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 17 mΩ, 38 mΩ, 15 A, 21 A, PDI3333, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2 V, 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 1.2 V, 1.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,8 W, Configurazione transistor: Base doppia, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMC3016LDV-7

EUR 0.64
1

DiodesZetex MOSFET, DMN4015LK3-13, N-Canal-Canal, 21 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si

DiodesZetex MOSFET, DMN4015LK3-13, N-Canal-Canal, 21 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si

DiodesZetex MOSFET, N-Canal-Canal, 21 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 10,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: DMN4015LK3-13

EUR 0.49
1

DiodesZetex MOSFET, DMN4015LK3-13, N-Canal-Canal, 21 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si

DiodesZetex MOSFET, DMN4015LK3-13, N-Canal-Canal, 21 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si

DiodesZetex MOSFET, N-Canal-Canal, 21 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 10,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: DMN4015LK3-13

EUR 0.29
1

DiodesZetex MOSFET canal N/P,, PDI3333 15 A, 21 A 30 V, 8 broches

DiodesZetex MOSFET canal N/P,, PDI3333 15 A, 21 A 30 V, 8 broches

DiodesZetex MOSFET canal N/P,, PDI3333 15 A, 21 A 30 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, 38 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2 V, 2.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2 V, 1.4V, Dissipation de puissance maximum: 1,8 W, Configuration du transistor: Base double, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMC3016LDV-7

EUR 0.28
1

DiodesZetex MOSFET, Canal-P, 30 V POWERDI5060, 8 broches

DiodesZetex MOSFET, Canal-P, 30 V POWERDI5060, 8 broches

DiodesZetex MOSFET, Canal-P, 30 V POWERDI5060, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 17 A (état), 21 A (stable), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.6V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.6V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: DMP34M4SPS-13

EUR 0.93
3

DiodesZetex MOSFET, DMP34M4SPS-13, P-Canal, 17 (State) A, 21 (Steady) A, 30 V, 8-Pin, PowerDI5060 Simple

DiodesZetex MOSFET, DMP34M4SPS-13, P-Canal, 17 (State) A, 21 (Steady) A, 30 V, 8-Pin, PowerDI5060 Simple

DiodesZetex MOSFET, P-Canal, 17 (State) A, 21 (Steady) A, 30 V, 8-Pin, PowerDI5060 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.6V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.6V, Disipación de Potencia Máxima: 3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: DMP34M4SPS-13

EUR 0.54
1

DiodesZetex MOSFET, Canal-P, 30 V POWERDI5060, 8 broches

DiodesZetex MOSFET, Canal-P, 30 V POWERDI5060, 8 broches

DiodesZetex MOSFET, Canal-P, 30 V POWERDI5060, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 17 A (état), 21 A (stable), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.6V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.6V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMP34M4SPS-13

EUR 1.15
3